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하이드로제네이션된 비정질 규소의 이동도 및 광전도도에 관한 연구 = Drift mobility and photoconductive property of hydrogenated amorphous silicon
서명 / 저자 하이드로제네이션된 비정질 규소의 이동도 및 광전도도에 관한 연구 = Drift mobility and photoconductive property of hydrogenated amorphous silicon / 이성재.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1982].
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4101623

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초록정보

Transport and recombination mechanisms are studied for the amorphous Si films from the temperature dependence of drift mobility, conductivity and photoconductivity. Three kinds of a-Si films are produced by DC glow discharge method at Ts=310 K in different substrate positions to the discharging electrodes, and one of which is doped with phosphorus of 200 vppm. Room temperature electron drift mobilities are 4.3 and $9.0×10^{-4} ㎠/sec.V$ for two undoped films and $4.5× 10^{-4} ㎠/sec.V$ for the P-doped film. The data can be interpreted that the main transport is the extended state conduction and recombination occurs mainly between electrons at $E_A$ and holes at $E_Y$ in temperature range 220-290K, and for the doped film, the phonon assisted hopping in the donor band is the dominant transport mechanism, and electrons in the donor band recombine with holes at $E_Y$ in temperature range 230-300K.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8216
형태사항 [ii], 32 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Seong-Jae Lee
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chun Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 30-31
주제 Amorphous semiconductors.
Silicon.
Drift mobility.
Electric conductivity.
수소화. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
이동도. --과학기술용어시소러스
전기 전도. --과학기술용어시소러스
Hydrogenation.
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