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직류 글로우 방전에 으해 만든 비정질 규소의 금지대내 상태밀도의 장 효과 실험에 의한 조사 연구 = Investigation of the pseudogap state density in DC glow discharge produced a-Si:H by field effect measurement
서명 / 저자 직류 글로우 방전에 으해 만든 비정질 규소의 금지대내 상태밀도의 장 효과 실험에 의한 조사 연구 = Investigation of the pseudogap state density in DC glow discharge produced a-Si:H by field effect measurement / 이기호.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1982].
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4101621

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초록정보

The density of states in the gap of hydrogenated amorphous silicon prepared by DC glow discharge decomposition has been investigated through field effect measurement. The conductance change versus the field voltage reaches to $~10^6$. We obtain the mobility gap and the flat band voltage from the data. The mobility gap of the undoped a-Si:H film prepared at $310^\circ$C is 2.0 eV while the activation energy is 0.73 eV. The density of states in the gap of the sample at the Fermi level is about $2\times10^{17}eV^{-1}cm^{-3}$, and increase monotonously approaching to the mobility edge.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8214
형태사항 [ii], 31 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Ki-Ho Lee
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 30-31
주제 Amorphous semiconductors.
Silicon.
Energy gap (Physics)
글로 방전. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
금지띠. --과학기술용어시소러스
상태 밀도. --과학기술용어시소러스
Glow discharges.
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