서지주요정보
64-Bit silicon-gate N-MOS STATIC RAM 의 설계 및 제작 = The design and fabrication of 64-bit silicon-gate N-MOS STATIC RAM
서명 / 저자 64-Bit silicon-gate N-MOS STATIC RAM 의 설계 및 제작 = The design and fabrication of 64-bit silicon-gate N-MOS STATIC RAM / 서강덕.
저자명 서강덕 ; Suh, Kang-Deog
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1981].
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4001509

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MIEL 8121

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초록정보

A 64-Bit Silicon-Gate N-MOS STATIC RAM has been designed and fabricated for the purpose of application of Silicon-Gate Technology to digital MOS LSI (Large Scale Integrated circuits) and investigation of possibility of manufacturing STATIC RAM. Inverters and NOR gates are organized with saturated depletion load. RAM cells occupied 97.5 × 140 $㎛^2$/bit area with minimum pattern geometry 10 ㎛. The operation of fabricated devices (KM0064) was successful with operating voltage of 5 V, maximum power consumption of 30 mW, minimum access time of 360 nsec, and TTL compatibility.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MIEL 8121
형태사항 iii, 76 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Kang-Deog Suh
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 산업전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 72-75
주제 Metal oxide semiconductors.
Random access memory.
MOS 집적 회로. --과학기술용어시소러스
정적 메모리. --과학기술용어시소러스
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