수소화된 비정질 규소에 있어서 밴드미부(尾部) 의 광흡수 = Band tail absorption in hydrogenated amorphous silicon

• 서명 / 저자: 수소화된 비정질 규소에 있어서 밴드미부(尾部) 의 광흡수 = Band tail absorption in hydrogenated amorphous silicon / 손대락.
• 발행사항: [서울 : 한국과학기술원, 1981].

Measurement of primary photocurrent in hydrogenated amorphous silicon Schottky diode produced by D.C. glow discharge decomposition of silane determines the optical absorption coefficient (α).
The gap state distribution and interface states are investigated from the result of absorption coefficient.
Under illumination of light (6000Å~9000Å, intensity 250 mW/㎠), the absorption coefficient below 1.4 eV is increased and saturated during about 6 hrs illumination.

• 형태사항: [ii], 25, [1] p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 저자명의 영문표기 : De-Rac Son ; 지도교수의 한글표기 : 이주천 ; 지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 24-25
• 주제: Amorphous semiconductors. ; Silicon. ; Absorption of light. ; 수소화. --과학기술용어시소러스 ; 비정질 반도체. --과학기술용어시소러스 ; 광 흡수. --과학기술용어시소러스 ; 규소. --과학기술용어시소러스 ; Hydrogenation.