To produce high permeability silicon steel, it is necessary to develop {110} <001> texture by secondary recrystallization and the inhibition of normal grain growth is required for the secondary recrystallization. Grain growth inhibition is known to be associated with the presence of dispersed particles or solute elements. In this paper, it is shown that the desulfurization of solute sulfur enables secondary recrystallization to occur.
The desulfurization during heat treatment is controlled by diffusion process at 850℃ and 960℃ in hydrogen atmosphere for heat contained approximately 3.2% silicon, 0.035% manganese and 0.053% sulfur. For heat contained 0.37% manganese and 0.031% sulfur, desulfurization was not detected and the secondary recrystallization did not occur. These studies revealed that desulfurization and the secondary recrystallization do not occur without excess sulfur.
Increasing the annealing temperature, the incubation time of secondary recrystallization decreases, and both secondary recrystallization and normal grain growth occur simultaneously.
연성자기 재료인 si - steel에 방향성을 줌으로서 고투자율을 얻을수 있으며, 이때 방향성 전기 강판의 조직은 2차 재결정에 의해서 이루어진다. 본 실험에서는 2차 재결정을 일으키기 위한 1차 결정성장 억제제로써 B.N. solute S를 사용했으며, 열처리에 따른 탈 황 과정과 2차 재결정 조직을 조사하였다.
이때 0.053 %S, 0.035%Mn의 조성을 가지는 시편은 수소분위기 내에서 850℃, 960℃로 등온 열처리 하는 경우 탈황 과정이 diffusion controlled process이며 탈황은 MnS로 결합되고 남은 excess S에서만 일어났다. 이 시편에서는 excess가 빠져나감에 따라 1차 결정성장 억제력이 상실되고 2차 재결정이 발생됨을 관찰할 수 있었으나, excess S가 없는 시편에서는 normal grain growth만 일어났다.
열처리 온도를 높임에 따라 탈황 속도는 증가 되었고, 따라서 2차 재결정 발생의 잠복기가 짧아졌다. 그러나 1000℃ 이상에서는 normal grain growth가 2차 재결정과 함께 발생함으로 방향성을 완전히 일으키는데 부적당 하였으며, 따라서 950℃와 1000℃ 사이에서 열처리하여 완전히 2차 재결정을 일으킬 필요가 있다.
질소 분위기에서 열처리하는 경우 탈황 속도가 수소분위기에서 열처리 할 때 보다 늦으며 2차 재결정도 늦게 발생한다. 이는 1차 결정성장 억제력이 수소분위기때 보다 더 길게 유지되기 때문이라 생각된다.
