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(A) 512-bit mask programmable ROM using PMOS technology = PMOS 기술을 이용한 512-Bit mask programmable ROM
서명 / 저자 (A) 512-bit mask programmable ROM using PMOS technology = PMOS 기술을 이용한 512-Bit mask programmable ROM / Hyun-Jong Shin.
저자명 Shin, Hyun-Jong ; 신현종
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1980].
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4000930

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MEE 8016

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초록정보

A 512-bit Mask Programmable ROM has been designed and fabricated using PMOS technology. The content of the memory was written through the gate pattern, and was checked by displaying the output of the chip on an oscilloscope with 512 matrix points consisting of 32 columns and 16 rows. The operation of the chip was successful with operating voltage from -6V to -12V, maximum power consumption of 27 mW and maximum propagation delay of 13 μsec. The output of the chip was capable of driving the input of a TTL gate directly and retained a high impedance state when the chip select function disabled the output.

본 논문에서는 PMOS 집적 기술을 이용하여 비교적 LSI 에 가까운 512-Bit Mask Programmable ROM 을 설계, 제작하였다. 먼저 설계에 필요한 기본적인 개념들을 알아 본 다음, Chip 의 설계 목표를 세우고, 그에따라 회로, Layout 및 Process 를 설계하였으며, 설계된 Chip 을 제작하였다. 이때, ROM 의 내용은 Gate Mask 를 통해서 저장하였다. 제작된 ROM Chip 은 성공적으로 동작하였고, 설계 목표를 대부분 만족 시켰다. Chip 의 동작전압은-6V 에서 -12V, 최대 전력 소모는 27mW, 최대 Propagation Delay 는 13 usec 이며, 출력 전압의 크기는 하나의 표준 TTL 의 입력을 직접 구동할 수 있었다. 또한, Chip 의 출력을 선택하지 않으면, 출력단자는 높은 저항의 상태로 있게 된다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8016
형태사항 ii, 82 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 Includes appendix
저자명의 한글표기 : 신현종
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
지도교수의 한글표기 : 김충기
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 Includes reference
주제 Read-only memory.
Transistor-transistor logic circuits.
Electric power consumption.
PROM. --과학기술용어시소러스
TTL. --과학기술용어시소러스
MOS구조. --과학기술용어시소러스
소비 전력. --과학기술용어시소러스
Programmable logic devices.
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