서지주요정보
Ammonium tartrate$((NH_4)_2 C_4H_4O_6)$ 를 이용한 aluminum 양극산화방법과 I. C. 제작에의 응용 = Experimental study on the aluminum anodization using ammonium tartrate$((NH_4)_2 C_4H_4O_6)$ and its application to I. C. fabrication
서명 / 저자 Ammonium tartrate$((NH_4)_2 C_4H_4O_6)$ 를 이용한 aluminum 양극산화방법과 I. C. 제작에의 응용 = Experimental study on the aluminum anodization using ammonium tartrate$((NH_4)_2 C_4H_4O_6)$ and its application to I. C. fabrication / 신윤승.
저자명 신윤승 ; Shin, Yun-Seung
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1980].
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4000929

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MEE 8015

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초록정보

Dielectric constant, unit barrier thickness and breakdown voltages of anodic $Al_2O_3$ using 2% ammonium tartrate $((NH_4)_2C_4H_4O_6)$ aqueous solution as an electrolyte are measured and problems in the application of aluminum anodization method to the I.C. fabrication are studied experimentally. Low breakdown voltages of the formed $Al_2O_3$ layer have been found to be mainly due to non-ideal, sharp and rough surfaces in the metal pattern edge. The breakdown voltage can be improved by long anodization time of about two hours or by 'anodize and $Al_2O_3$ etch before anodization' method.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8015
형태사항 [iii], 70 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Yun-Seung Shin
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 67-68
주제 Integrated circuits.
Aluminum.
Breakdown voltage.
양극 처리법. --과학기술용어시소러스
집적 회로. --과학기술용어시소러스
복소 유전율. --과학기술용어시소러스
Metals --Anodic oxidation.
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