산화알미늄을 이용한 Charge coupled device split-electrode convolver 의 설계와 제작 = Charge coupled device split-electrode convolver using aluminum anodization method

• 서명 / 저자: 산화알미늄을 이용한 Charge coupled device split-electrode convolver 의 설계와 제작 = Charge coupled device split-electrode convolver using aluminum anodization method / 김오현.
• 발행사항: [서울 : 한국과학기술원, 1979].

A 17 bit Charge Coupled Device (CCD) Split-Electrode Convolver has been built with an aluminum anodization method.
In this device, PMOS process has been adopted, and the operation of the device is in $1\frac{1}{2}$ phase mode, and no channel stop diffusion has been made.
Sealed channel construction with two levels of aluminum is used. Anodized aluminum which isolates the first metal from the second metal has been grown by wet anodization method.
A charge presetting input method is used as an input scheme because of its linear and low noise characteristics, and the independency on the variation of the threshold voltage of the input gate.
Convolved output from the split-electrode pairs has been detected by off-chip operational amplifiers.
Aluminum anodization method and characteristics of CCD split-electrode convolver has been discussed in detail.

본 논문에서는 C.C.D. split electrode convolver를 제작하는데 aluminum anodization 방법을 이용한다는 것에 중점을 두었다.
우선 anodized aluminum의 특성을 측정하기 위해서 $Al_2O_3$ Capacitor를 만들었으며, 이를 기초로 C.C.D. split-electrode convolver를 설계, 제작하였다.
제작된 C.C.D를 먼저 shift register로, 다음에는 signal convolver로 동작시켜 원하는 출력을 얻었으며, 이로서 각종 신호처리 분야에 응용할 수 있음을 확인했다.

• 형태사항: ii, 62 p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 저자명의 영문표기 : O-Hyun Kim ; 지도교수의 한글표기 : 김충기 ; 지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 61-62
• 주제: Metals --Anodic oxidation. ; Metal oxide semiconductors. ; Aluminum oxide. ; 전하 결합 소자. --과학기술용어시소러스 ; 양주 산화. --과학기술용어시소러스 ; MOS 구조. --과학기술용어시소러스 ; Charge coupled devices.