By the evaporation of polycrystalline silicon in high vacuum ($P_b\lessim 1×10^{-7}$ Torr) amorphous silicon films were prepared. The hydrogenation of those samples were tried by DC discharge of hydrogen gas after evaporation and by using Pd film as an agent for diffusing atomic hydrogens into amorphous silicon films. The samples prepared by using Pd film showed wide optical band gap, but the resistivities were not so large. Thus, the possibility of hydrogenation of amorphous silicon films by the latter method is yet to be confirmed and still remains as a hopeful candidate for a new method of hydrogenation. On the other hand, the sample prepared by DC discharge showed high resistivities and good Schottky barrier junctions were obtained from these samples. This confirms that amorphous silicon films can be hydrogenated effectively by DC discharge after evaporation of amorphous silicon films.
Amorphous silicon - metal Schottky barrier solar cells were fabricated by the deposition of amorphous silicon films (∼1 ㎛) on epitaxially grown $n^+$ -n type crystalline silicon wafers (∼250 ㎛) and followed by hydrogenation. Those samples showed good diode characteristics. The sample using Pt showed V 0.32 V under the illumination of 10 mW/㎠ and the efficiency of that sample was 0.06%.
$J_{sc} - $V_{oc}$ curves showed straight lines as expected and β values ranged from 1.5 to 2. J - V curves however deviated from the conventional diode characteristics. The result could be explained qualitatively by assuming double Schottky barrier formation between amorphous and crystalline silicon.
고진공 $(P_b \lessim 1 × 10^{-7} Torr)$ 속에서 다결정규소를 증착시켜 비정질 규소를 얻었으며, 증착후 수소의 직류 방전과 Pd 을 매개로 한 수소 원자의 확산에 의해 hydrogenation 을 시도 하였다. Pd 을 사용하여 hydrogenation 을 시도한 시료는 넓은 optical band gap 을 보여주었으나 상온에서의 전기전도도는 그리 작지 못했기 때문에 hydrogenation 이 되었다고 단정할 수는 없으며 가능성은 남아 있다. 직류 방전에 의해 hydrogenation을 시도한 시료는 작은 상온에서의 전기전도도 $(\lessim 1 × 10^{-7} Ω^{-1} cm^{-1})$를 보여주었으며 이 시료로써 좋은 Schottky barrier junction 을 얻을 수 있었다. 따라서 이 방법으로 비정질규소의 hydrogenation이 가능하다.
$n^+-n$ 형 결정질규소 wafer 위에 비정질규소를 증착$(\dot{\sim} 1㎛)$시킨 후 이를 직류 방전에 의해 hydrogenation 시켜 비정질규소 Schottky barrier 태양전지를 제작하였다. 이 시료들은 좋은 diode 특성을 보여주었다. Pt 를 사용하여 0.06% 의 효율을 가진 태양전지를 제작하였으며 이 시료는 10 mW/㎠의 광도 하에서 0.32 V 의 폐회로전압을 보여주었다.
$J_{SC} -V_{OC}$ 곡선은 직선을 나타내었고 1.5 - 2 의 β 값을 갖고 있었으나 J - V 곡선은 직선으로부터 구부러지는 결과가 나타 났으며 이것은 비정질규소와 결정질규소 사이의 이중 Schottky barrier 형성을 가정함으로써 정성적으로 설명될 수 있었다.
