Boron, phosphorus and arsenic spin-on sources are characterized in terms of diffusion coefficients. The results have been compared with the published values. Effects of the thickness of the doped oxide and the barrier oxide have been investigated. Finally, uniformity of junction depth and sheet resistance within one wafer has been investigated.
확산계수를 Junction depth 로 부터 계산하여 boron 과 phosphorus 와 arsenic 확산 source 의 성질을 조사하였다. 구하여진 확산계수는 이미 발표된 값과 비교하여 볼때 신빙성있는 값이었으며 이로부터 diffusion과정이 올바르게 수행되고 있음을 확인하였다. diffusion source가 되는 doped oxide와 중간에 끼어있는 barrieroxide 의 두께에 따른 영향을 고려하여, 적합한 diffusion condition을 제시하였다. junctiondepth 의 non-uniformity는 1% 이내로 측정하기가 곤란하였고, sheet resistance 의 non-uniformity는 3% - 6% 이었다. 이상의 결과로 spin-on source를 I.C.fabrication에 충분히 쓸수 있음을 확인하였다.
