High valtage $P^+$N diodes are fabricated using the planar technology employing a guard ring, or a field plate, or both a guard ring and a field plate. Optimal guard ring position and oxide overlap distance of the field plate are searched experimentally.
The breakdown voltages of these devics are compared with that of a diode without any sub-structures (guard ring or field plate). The breakdown voltage of the diodes which have sub-structures is higher than that of the diode with no sub-structure.
The diodes equipped with the field plate has shown higher breakdown voltages than single guard ring diodes.
입체구조보다 수확율이 높고 제작인 간편한 평면구조 고내압 다이오드를 제작하였다.
고내압 평면구조 다이오드에서 일어나는 문제점을 알아보고 그 문제점을 해결하기 위한 방법을 조사했다.
평면구조 고내압 다이오드를 얻는 방법에는 Guard Ring, Field Plate Guard Ring & Field Plate 를 사용하는 방법이 있다. 각 다이오드 구조에 대한 해석을 한후 각 다이오드의 가장 높은 파괴전압을 알아낸 후 그 결과를 비교해 보았다. 동일한 조건하에서 각 다이오드의 특성을 비교하기 위해서 mask를 특수하게 만들었다.
동일한 조건하에서 Field Plate Diode의 파괴전압이 Guard Ring Diode 의 파괴전압이 높았다. Field Plate Diode 에서는 Field Plate 의 oxide overlap 거리가 증가할수록 파괴전압이 감소하는 현상을 나타냈다. Guard Ring & Field Plate Diode 에서는 해석할 수 없는 현상이 있었다.
