서지주요정보
산화 주석 피막의 전기 전도도 = Electrical conductivity of $SnO_2$ film
서명 / 저자 산화 주석 피막의 전기 전도도 = Electrical conductivity of $SnO_2$ film / 이정용.
저자명 이정용 ; Lee, Jung-Yong
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1976].
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4000187

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학술문화관(문화관) 보존서고

MMS 7618

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초록정보

$SnO_2$ film was prepared by spraying $SnCl_4$ solution on the hot glass substrate. The electrical conductivity of $SnO_2$ film in a thermal treatment was investigated in air at 550 ℃ - 650 ℃ and $\frac{1}{5}$ to 1 atmosphere in oxygen partial pressure at 600 ℃. Quasichemical equations were assumed to find the mechanism of conductivity decrease in a thermal treatment. The relation of electrical conductivity and oxygen partial pressure was σ= const $Po_2 -\frac{1}{5.8}$ It seemed that main defect of $SnO_2$ was doubly charged oxygen vacancy. The excitation energy for formation of doubly charged oxygen vacancy was 27 ± 0.4 kcal/mole. The kinetic activation energy of forward reaction rate constant toward an equilibrium was 14 ± 0.3 kcal/mole. A study of film by X-ray diffraction method and electronmicroscope by replica method showed that it was polycrystalline $SnO_2$ film.

서지기타정보

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청구기호 {MMS 7618
형태사항 iii, 45 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : Film 의 두께 측정법
저자명의 영문표기 : Jung-Yong Lee
지도교수의 한글표기 : 김기순
지도교수의 영문표기 : Kee-Soon Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 재료공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 39-42
주제 Electric conductivity.
Microstructure.
전기 전도. --과학기술용어시소러스
전기적 성질. --과학기술용어시소러스
산화주석. --과학기술용어시소러스
미세 구조. --과학기술용어시소러스
Tin oxide.
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