In order for microwave active devices to oscillate in a waveguide, a waveguide post mount is indispensable. The induced EMF method has been extended and applied to derive the driving point impedance seen from the diode terminal pair.
The driving point impedance of this mount is calculated from this method and compared with the experiment performed in X-band (8 -12.4 GHz). The measurement has been performed by use of a very small probe which does not disturb the internal fields and accesses to the terminal pair located inside the waveguide.
It is confirmed experimentally that the trend of the measured impedance values and the calculated theoretical values is in good agreement, when the gap of the post mount is near the bottom wall of the waveguide. When the gap is at the center of the waveguide, however, the measured reactance deviates considerably from the theoretical calculations.
마이크로웨이브 능동 소자 예를 들면 IMPATT 다이오드나 Gunn 다이오드등을 도파관 내에 설치하여 발진기를 만들려 할 때, 필수적으로 필요한 도파관 지지봉에 대해, 다이오드 연결단에서 본 입력단 임피던스의 이론적 결과3) 를 소개하였다.
이 방법으로 계산된 지지봉의 임피던스와 X- 밴드 에서 실험적으로 측정된 임피던스를 비교하고 이론을 확인하였다.
측정에는 rigid miniature cable 과 주위 전개에 영향을 주지 않을 정도로 작은 probe ( rigid cable 의 inner conductor 를 outer conductor 보다 조금 길게 하여 만들었음 ) 를 사용하였다.
이론치의 주파수에 따른 변화 추세는 맞는다는 것을 실험적으로 확인 하였으며, 특히 gap 이 중앙에 존재할 때 리액턴스 부분이 이론치와 상당한 차이가 있음을 발견하였다.
