MNOS FET of the direct tunneling was fabricated and its properties were investigated. The thickness of silicon oxide was 20Å and that of silicon nitride was 1000Å. The difference between the modidied Fowler-Nordheim current of the oxide and the Poole-Frenkel current of the silicon nitride explains the storage phenomena of charges in the traps which exist at the interface of the oxide and the nitride. The most important condition of the growth of the silicon nitride is growth temperature, which makes the initial interface charges go to zero at 850. The chemical oxidation is simpler in the process of growing the oxide, and the maximum trap density of the chemical oxide is larger than that of thermal oxide. The reproducibility of the thin oxide (20Å) by the chemical oxidation is more important in the fabrication process. The threshold voltage change by the applied gate voltage between the sample of 1000Å and that of 1300Å was different mainly because of the growth temperature of the nitride and its properties. The rather thick nitride requires more than ± 60V of the gate voltage. The gases and growth temperature should be more closely controlled when the nitride is deposited.
본 논문에서는 직접 tunneling 에 의해서 동작하는 MNOS FET 를 제조하고 이에 대한 성질을 검토했다. 산화막의 두께는 20Å정도이고 질화막의 두께는 1000Å으로 했다. 산화막 내의 전류는 수정 된 Fowler-Nordheim 전류와 질화막 내의 전류와의 차이에 의해서 두 절연체의 경계면에 전하가 축적되는 현상을 설명했다. 질화막의 중요한 성장 조건인 성장 온도는 850$\,^\circ\!C$ 로 해서 초기 경계면 전하를 OC/$cm^2$로 했다. 산화막은 화학적 산화법이 고온 산화법 보다 간편하고 최대 트랩 밀도도 더 크고 특히 재연성이 좋다. 제조 된 MNOS FET 는 경계면의 특성과 질화막의 품질이 좋지 못했다. 즉 질화막의 두께가 1000Å인 경우와 1300Å인 경우에 게이트 펄스에 의한 작동 전압의 변화가 달랐다. 질화막의 두께도 두꺼운 편이어서 게이트 펄스의 진폭이 $\pm$ 60V 이상의 값이 필요했다. 질화막 성장 시에 개스의 순도와 성장 온도가 더욱 잘 조절되어야 한다.
