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레이저 유기 CVD로 생성되는 결정성 미세 실리콘 막대의 성장기구 연구 = Growth kinetics of microscopic Si rods grown on Si substrates by the pyrolytic LCVD precess
서명 / 저자 레이저 유기 CVD로 생성되는 결정성 미세 실리콘 막대의 성장기구 연구 = Growth kinetics of microscopic Si rods grown on Si substrates by the pyrolytic LCVD precess / 박세일.
저자명 박세일 ; Park, Se-Il
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1990].
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8000218

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학술문화관(문화관) 보존서고

DAP 9006

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초록정보

By using a cw $Ar^+$ ion laser beam, microscopic crystalline silicon rods ~$10^2㎛$ in diameter and ~$10^3㎛$ in height have been grown on a silicon substrates by pyrolytic dissociation of $SiH_4$. The kinesics of lateral growth of the silicon rods is derived from the time integration of the Arrhenius equation using a reasonable assumption that the temperature on the edge of the deposit saturates inversely to the substrate temperature with illumination time. For the axial growth, excluding the initial transient growth the same result as B$\ddot{a}$uerle and his collaborators is derived. The influences of laser power and illumination time on the deposited diameter and height are found experimentally and it is found that the derived theory agrees well with the experimental results.

서지기타정보

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청구기호 {DAP 9006
형태사항 iii, 85 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Se-Il Park
지도교수의 한글표기 : 이상수
지도교수의 영문표기 : Sang-Soo Lee
학위논문 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 78-85
주제 Silicon.
Plasma-enhanced chemical vapor deposition.
결정 성장. --과학기술용어시소러스
화학 증착. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
Crystal growth.
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