Two dimensional materials are very promising for the Next generation flexible electronics due to their ex-traordinary properties. In contrast to Graphene, monolayer MoS2, which is one of the transition metal dichal-cogenides(TMDCs), has direct band gap(1.9eV). So, monolayer MoS2 is candidate for the future flexible FET and optoelectronics. However, synthesis of large-area monolayer MoS2 is main obstacle. Here, we report solu-tion-processed ultrafast large-area monolayer MoS2 film can be made from interfacial self-assembly which is induced by Rayleigh-Benard convection and Marangoni force. The MoS2 thin film can be transferred directly into various substrates with high coverage and uniformity as well as thickness can be controlled with one lay-er scale via stacking sequence. Furthermore, fabrication mechanism can be applied to WS2, NbSe2. So, this method shows the possibility for universal TMDCs thin film fabrication. From this method, lateral and verti-cal hetero-structure can be easily made with CNT and Graphene, which can enlarge thin film applications.
이차원물질은 차세대 유연한 소자의 소재로 각광을 받고 있다. 대표적 이차원 물질인 그래핀과 달리, 단일층 이황화몰리브덴은 1.9eV의 직접 밴드갭을 가지고 있어 미래의 유연한 트랜지스터, 광전자소자의 핵심적인 소재이다. 하지만, 대면적의 단일층 이황화몰리브덴을 만드는데 현재 한계를 가지고있다. 본 논문에서는 용액공정을 통해 아주 빠르게 대면적 단일층 이황화몰리브덴 박막을 계면 자가조립을 이용해 만들었다. 이황화몰리브덴 박막은 높은 커버리지와 평평함을 가질뿐만 아니라 다양한 기판 위에 직접적으로 전사가 가능하다. 더불어, 본 연구의 방법이 다른 전이금속칼코젠 화합물에도 적용 가능하며, 다양한 구조를 가지는 박막을 쉽게 만들 수 있다. 본 연구의 방법을 통해 대면적의 단일층 이황화몰리브덴 박막을 제조 할 수 있다.
