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Defect generation in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 결함 생성에 관한 연구
서명 / 저자 Defect generation in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 결함 생성에 관한 연구 / Yong-Ho Jang.
저자명 Jang, Yong-Ho ; 장용호
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1993].
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초록정보

Defect Generation in hydrogenated amorphous silicon has been investigated through photocurrent decay due to light soaking with constant intensity (CFC) and in constant photocurrent condition (CPC). The decay of photocurrent under CFC can be explained well both with the model of Stutzmann and with that of Redfield and Bube. That means that the decay agrees with one third power rule predicted by the bimolecular recombination model of Stutzmann and also follows the stretched exponential derived by Redfield and Bube. Under CPC, however, in which the intensity of soaking light is increased to maintain constant photocurrent, the kinetics of defect generation seems to obey the stretched exponential. A modification of the rate equation of defect generation has been attempted to account for large value of β, which is in consistence with the enhancement of hydrogen diffusion in the presence of excess carriers. The photocurrent decay under both CFC and CPC light soaking was carried out at various temperatures in the range of 180K and 346K. The effect of temperature, which is expected to help to surmount the barriers against defect conversion, seems to be compensated above room temperature. The reduction of band tail carriers at elevated temperatures under constant intensity illumination may cause the compensation, lessening the effective activation energy for SWE. Finally it has been found that photocurrent decay at low temperatures is not consistent with the existence of the local temperatures.

광전기전도도가 일정한 상태(CPC)에서 빛에 의한 결함 생성 과정을 연구하였다. 이 조건에서 빛의 세기가 증가하는 양상은 브란트(Brandt) 와 스튜츠만 (Stutzmann)이 발표한대로 선형적이나, 늘어진 지수 꼴로도 기술할 수 있음을 보였다. 이때 광전기전도도의 감쇠는 늘어진 지수꼴(Stretched Exponential)이 더 적합하다. 파라미터 β가 커진 것을 설명하기 위해 레드필드(Redfield) 와 뷰브(Bube)의 방정식을 변형하였으며 이것을 전하운반자에 의한 수소 확산의 증가와 연결지었다. 또 여러 온도에서 빛에 의한 광전기전도도의 감쇠를 빛의 세기가 일정한 경우와 광전기전류가 일정한 상황에 대해서 측정하였다. 250K 이상의 온도에서의 광전기전도도 감쇠는 늘어진 지수꼴로 설명할 수 있다. 빛의 세기를 일정하게 하고 온도를 올리면 광전기전도도는 증가하나 밴드 테일(band tail)에 있는 전하운반자의 양은 감소할 수 있으며 이 경우 열에 의한 효과를 상쇄시킨다. 광전기전도도의 써멀퀘?칭 (thermal quenching)이 나타나는 저온에서는 광전기전도도의 감쇠 양상이 상온 근처일 때와 다르고, 이것으로 보아 국지온도(local temperature)의 존재 가능성은 희박해 보인다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {DPH 93007
형태사항 ii, 79 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 장용호
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
지도교수의 한글표기 : 이주천
학위논문 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 Reference : p. 76-79
주제 수소화. --과학기술용어시소러스
비정질. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
결함. --과학기술용어시소러스
Defects.
Hydrogenation.
Amorphous substances.
Silicon.
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