$CuInSe_2$ 태양전지는 충분히 큰 단락전류를 생산한다. 그러나 상대적으로 낮은 개방전압은 전지의 효율을 억제하는 원인이다. 따라서 단락전류를 감소시키지 않으면서 개방전압을 증가시키는 것은 효율증가를 위해 무엇보다 중요하다. CIS 태양전지에서 개방전압 감소의 가장 큰 원인은 계면재결합과 계면에서의 states charging으로 알려져 있다. 이 때 Cd(Zn)S층과 CIS층 사이에 밴드 갭이 큰 CIS에 기초한 화합물 반도체를 놓으므로서 단락전류를 크게 감소시키지 않으면서 계면에서의 재결합을 감소시켜 개방전압을 증가시킬 수 있다. 본 연구에서는 수치해석을 통하여 중간층의 밴드갭을 CIS층에서 부터 n층으로 서서히 증가시킴에 의해 밴드갭을 일정하게 했을 때 보다 더 안정되고 좋은 특성의 전지를 얻을 수 있음을 보이고 최적한 설계조건을 제시하였다.
