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소장자료

상세 정보
서명 / 저자 Process engineering of the surface passivation using $(NH_4)_2S$ for the InP MOS capacitor with ALD $Al_2O_3$ = $Al_2O_3$를 사용한 InP MOS capacitor에서의 $(NH_4)_2S$를 이용한 기판 표면 패시베이션의 실험적 최적화에 대한 연구 / Hee-Jeong Hong.
저자명 Hong, Hee-Jeong ; 홍희정
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2014].
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Online Access /thesis_pdf_02/2014/2014M02012...  원문
서가 정보
등록번호 소장위치/청구기호 도서상태 반납예정일
8027174 학술문화관(문화관) 보존서고
MEE 14153  

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초록

상세 정보
형태사항 ii, 37 : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 홍희정
지도교수의 영문표기 : Yang-Kyu Choi
지도교수의 한글표기 : 최양규
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 References : p. 28-33
주제 III-V semiconductor
indium phosphide (InP)
Al2O3
(NH4)2S
sulfur passivation
화합물 반도체
인듐 포스파이드
알루미늄 산화물
황화암모늄
황 패시베이션
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