To study the effect of buffer layer on charge injection in organic light emitting diodes (OLEDs), a thin layer of 3-methyl-4-methoxy-4'-nitrostilbene (MMONS) and LiF was inserted as an electron injection layer between the Alq3 and Al cathode of OLEDs, and the results of electron injection rate and luminance were compared.
It was demonstrated that a thin layer of both MMONS and LiF between the Al cathode and $Alq_3$ layer in OLEDs increased the electron injection rate and luminance. The optimum thickness of the MMONS layer for the maximum electron injection efficiency was $\sim 1 nm$ , which is equivalent to a thickness of one MMONS monolayer. The enhancement of the electron injection rate by MMONS may be explained by the barrier height lowering due to the MMONS dipole.
유기 발광 소자에서 buffer layer가 전하주입에 미치는 영향을 알아보기 위해서 발광층 Alq3와 Al 음극 사이에 전자주입층으로서 유기물인 3-methyl-4-methoxy-4'-nitrostilbene (MMONS)와 무기물인 LiF를 얇게 삽입하였고, 각 소자의 electron injection rate와 luminance를 전자주입층이 없는 기본소자의 결과와 비교하였다.
유기 발광 소자의 Alq3와 Al 음극 사이에 얇은 MMONS 층과 LiF 층을 삽입했을 때, electron injection rate와 luminance가 증가하는 것을 보여준다. 이 결과를 통해 dipole moment를 가진 유기분자 역시 LiF 분자와 마찬가지로 유기 발광 소자의 성능 향상에 기여할 수 있음을 알 수 있다.
가장 좋은 electron injection efficiency을 위한 최적의 MMONS 층의 두께는 약 1 nm로 MMONS monolayer의 두께와 같다. MMONS에 의한 electron injection rate의 증가는 MMONS 분자가 가지고 있는 dipole moment에 의해 전자주입장벽이 낮아지는 것으로 설명할 수 있다.
