Non-catalytic Growth and Characterization of Gallium Phosphide Nanowires
Gallium phosphide (GaP) is a II-VI semiconductor with a band gap of 2.26 eV and can be used as a building block in nanodevice. We have synthesized GaP nanowires by chemical vapor deposition (CVD) method without catalyst. The nanowires were grown by vaporization of GaP and Ga2O3 powders and the structures were characterized by scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscope (TEM), and X-ray diffraction (XRD). The diameter of GaP nanowires is about 20 ~ 40 nm and the length is up to several hundreds of micrometers.
Synthesis and Characterization of Zinc Selenide Nanowires
Zinc selenide (ZnSe) has attracted extensive attention due to its wide applications as green-blue emission and laser structures. We successfully synthesized ZnSe nanowires by CVD method with a gold catalyst. Synthesized nanowires were characterized by SEM, TEM, XRD and PL. Analysis shows that the nanowires have single crystalline structures. The diameter of ZnSe nanowire is about 20 ~ 50 nm and the length is up to several tens of micrometers. PL spectrum shows characteristic emission peak around 458 nm.
Fabrication of Nanodevices Based on Nanowire
Semiconducting nanowires could function as building blocks for nanoscale electronics because they can transport electrons and holes. ZnSe nanowires as semiconducting material are expected to change the electrical resistance or conductance depending on surrounding conditions. Here, we report a bottom-up approach for nanodevices through fabrication process of a device based on ZnSe nanowire. The ZnSe nanowire device was fabricated by e-beam lithography and metal deposition. The electrical property of the device are being measured. We will present the fabrication process of nanodevices.
인화갈륨 나노선의 합성과 물성 연구
인화갈륨 나노선은 인화갈륨과 산화갈륨 혼합물을 이용해 기상합성법으로 합성되었다. 나노선은 단결정형태로 다량 합성되었다. 직경은 20 ~ 40 nm이며, 길이는 수백 마이크로 정도로 성장하였다. 성장시간을 변화 시키면서 합성한 결과 성장시간이 길어지면 합성되는 양은 증가하나, 직경에는 변화가 없다. 또한 우리는 지금까지 보고된 인화갈륨 나노선 합성과는 달리 촉매없이 합성하였고, 합성된 인화갈륨 나노선은 oxide-assisted 메카니즘을 따른다. 인화갈륨 나노선은 나노소자 제작의 중요한 재료로 사용 될 것이다.
셀렌화아연 나노선의 합성과 물성연구
셀렌화아연 나노선은 기상합성법을 이용하여 합성되었다. 나노선 합성을 위해 금을 촉매로 사용하였으며, 나노선 성장은 VLS 메카니즘에 따른다. 합성된 나노선은 SEM, TEM, XRD 그리고 PL 장비를 이용해 그것들의 물성을 연구하였다. 합성된 셀렌화아연 나노선은 대략 20 ~ 50 nm의 직경을 가지며 수십 마이크로의 길이로 성장하였다. 합성된 나노선은 성장방향을 가지는 단결정 나노선이다. 셀렌화아연 나노선은 나노소자 제작 분야에서 유용한 재료로 사용될 수 있으며, 특히 광학소자 제작에 사용될 수 있을 것이다.
나노선을 이용한 소자의 제작 방법
기상합성법을 이용해 합성된 셀렌화아연 나노선을 이용하여 field-effect transistor (FET) 형태의 전자소자를 제작하였다. 셀렌화아연 나노선을 이용한 소자는 리소그라피방법과 증착법을 이용해 제작되었다. 소자제작에 이용한 셀렌화아연 나노선은 약 20 nm의 단결정 나노선이다. 전기적 특성 측정은 아직 진행 중에 있으며, 여기서 우리는 나노소자를 제작하는 과정을 중심으로 보고하자고 한다.
