Synthesis and Characterization of various morphologies of ZnO and ZnS nanostructures
ZnO and ZnS are typical example of II-VI semiconductor which is extensively investigated these days for their unique property. We successfully synthesized novel nanostructures of ZnO and ZnS by chemical vapor transport and condensation (CVTC) method. Different morphologies of nanostructures such as nanowire, nanobelt, nanocomb and nanosaw are determined by small change of conditions like temperature or pressure. And structural features also important factor. These structures are characterized by scanning electron microscope, tunneling electron microscope, X-ray diffraction.
Synthesis and Characterization of Ga doped ZnO nanowires High quality Ga doped ZnO nanowires were synthesized through a simple chemical vapor deposition. High resolution transmission electron micrograph reveals that the Ga doped nanowires were single crystalline hexagonal wurtzite structure grown in [001] direction. The diameters of the nanowires were in range of 50 to 100 nm. XPS and EDX spectra show the direct evidence of Ga doping about 2 at% to 5 at%. Photoluminescence measurement shows the good optical quality of Ga doped ZnO nanowires. Conductivity enhanced Ga doped ZnO nanowires are n-type semiconductor, which will be promise for the nanoelectronics devices.
Synthesis and Characterization of (Mn, Fe) doped ZnS nanobelts
New room temperature ferromagnetic semiconductor (Mn, Fe) doped ZnS nanobelts were successfully synthesized via simple vapor phase growth. The nanobelts were shown as single crystal hexagonal wurtzite structure grown in [100] direction from high resolution transmission electron micrograph. Mn and Fe were observed by mapping profiles of TEM-EDX and shown about 0.5 % and 1 % contents from EDX. Magnetic hysteresis loop was distinctly observed at 300 K, which means room temperature ferromagnetism
다양한 산화아연 및 황화아연 나노구조의 합성 및 물성연구
다양한 구조와 물성을 가진 반도체인 산화아연과 황화아연 나노구조를 기상합성법을 통하여 합성을 하였다. 단결정 형태로 합성되어진 다양한 구조는 온도와 압력 변화 및 물질 자체의 구조적 특징에 의해서 형태의 다양성을 나타내었다. 합성되어진 나노구조는 여러 가지 물질의 도핑을 통하여 새로운 물성을 기대할 수 있으며, 나노소자 제작의 기본적인 재료가 될 수 있다.
갈륨 도핑된 산화아연 나노선의 합성 및 물성연구
양질의 갈륨 도핑된 산화아연 나노선을 기상합성법으로 합성하였다. 고배율 투과 전자현미경 분석을 통해 [001] 방향으로 성장한 단결정의 부르자이트 구조를 확인할 수 있었다. 합성되어진 나노선은 대략 50 ~ 100 nm 의 직경을 가지며 수 마이크로 정도로 성장하였다. XPS 및 EDX 분석을 통하여 2 ~ 5 % 정도의 갈륨의 도핑을 직접적으로 확인 할 수 있었다. 광발광 특성을 통해 갈륨의 양이 많이 질수록 발광특성이 감소함을 관찰하였다. 도핑된 갈륨을 통한 전도성의 증가는 나노소자 제작에 사용될 것이다.
망간과 철이 도핑된 황화아연 나노벨트의 합성 및 물성연구
새로운 상온 강자성 물질인 망간과 철을 도핑한 황화아연 나노벨트를 기상합성법을 통하여 합성하였다. 합성된 단결정의 나노벨트는 전형적 황화아연 구조인 부르자이트 구조를 가지고 있으며, [100] 방향으로 성장하였다. 벨트의 너비는 대략 수백나노미터의 정도를 가지고 있으며, EDX의 성분 분석을 통해 대략 1%의 철, 0.5%의 망간을 확인할 수 있었다. 자성측정을 통하여 300K에서 분명한 마그네틱 히스테리시스를 확인할 수 있었고, 이것을 통해 새로운 자성반도체로의 가능성을 보여주고 있다.
