서지주요정보
나노압입과 나노리소그래피의 원자수준 전산모사 = Atomistic simulations of nanoindentation and nanolithography
서명 / 저자 나노압입과 나노리소그래피의 원자수준 전산모사 = Atomistic simulations of nanoindentation and nanolithography / 이영민.
저자명 이영민 ; Lee, Young-Min
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2004].
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등록번호

8014947

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학술문화관(문화관) 보존서고

MME 04049

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초록정보

Molecular dynamics simulation of nanoindentation and nanolithography by AFM is conducted to study homogeneous nucleation of various defects, and their subsequent development and interactions as well. In nanoindentation, dislocations are found to initiate on the slip plane off the loading axis and to form a loop, and they are finally emitted onto the bottom surface. During nanolithography via AFM, dislocation loops are emitted along the top surface, and resourceful defect interactions such as, formation of voids chain via the motion of a jog, and creation of extended nodes and stacking fault tetrahedrons are observed. The effects of the scratching depth, speed, and orientation on the resulting defects are discussed as well.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MME 04049
형태사항 vii, 103 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Young-Min Lee
지도교수의 한글표기 : 임세영
지도교수의 영문표기 : Se-Young Im
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 기계공학전공,
서지주기 참고문헌 : p. 50-56
주제 분자동역학
나노압입
나노리소그래피
전위
박막
Molecular dynamics
Nanoindentation
Nanolithography
dislocation
ultra-thin film
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