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소장자료

상세 정보
서명 / 저자 Precursor approaches to MN (M = Ga, In) and BST for optical and memory devices = 광소자용 MN (M = Ga, In) 및 메모리소자용 BST박막 제조를 위한 선구물질 연구 / Byoung-Jae Bae.
저자명 Bae, Byoung-Jae ; 배병재
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2003].
online access
Online Access /thesis_pdf_01/2003/2003D00098...  원문
서가 정보
등록번호 소장위치/청구기호 도서상태 반납예정일
8014268 학술문화관(문화관) 보존서고
DCH 03002  

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초록

상세 정보
형태사항 viii, 114 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 배병재
지도교수의 영문표기 : Joon-Taik Park
지도교수의 한글표기 : 박준택
수록잡지명 : "Trans-cis isomerization and structure of [R2Ga(μ-NHSiEt3)]2 (R = Me, Et)". Organometallics, v.18 no.13, pp.2513-2518 (1999)
수록잡지명 : "Structural characterization of a dimeric dimethylindium azide and its use as a single-source precursor for inn thin films". Journal of organometallic chemistry, v.616 no.1, pp.128-134 (2000)
학위논문 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 화학과,
서지주기 Includes references
주제 Gallium Nitride
Indium Nitride
Barium Strontium Titanate
Precursor
Chemical Vapor Deposition
질화갈륨
질화인듐
바륨 스트론튬 타이타늄 산화물
선구물질
화학증착법
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