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n-GaAs의 Pt/Au-Ge/Pt/Au 오믹접촉 특성에 관한 연구 = A study on the characteristics of Pt/Au-Ge/Pt/Au ohmic contacts to n-GaAs
서명 / 저자 n-GaAs의 Pt/Au-Ge/Pt/Au 오믹접촉 특성에 관한 연구 = A study on the characteristics of Pt/Au-Ge/Pt/Au ohmic contacts to n-GaAs / 추효태.
저자명 추효태 ; Choo, Hyo-Tae
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2002].
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8012927

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MMS 02036

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초록정보

In this paper, Au-Ge/Pt/Au ohmic contact to n-type GaAs with 5nm thickness of Pt first layer was effective in reducing the dependency of annealing temperature. The specific contact resistance was $2.3×10^{-4}~6.1×10^{-4}Ω㎠$ at the temperature range of 350~450℃. Pt first layer was effective not only in suppressing out-diffusion of Ga and As but also in reducing the alloying depth of GaAs substrate with contact metals. From these reasons, it was thought that interface morphology of the metal/GaAs and surface morphology were improved. X-ray diffraction, atomic force microscopy, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and Auger electron spectroscopy were utilized.

서지기타정보

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청구기호 {MMS 02036
형태사항 [ii], 63 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Hyo-Tae Choo
지도교수의 한글표기 : 백경욱
공동교수의 한글표기 : 박종욱
지도교수의 영문표기 : Kyung-Wook PaiK
공동교수의 영문표기 : Chong-Ook Park
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 재료공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 61-63
주제 오믹접촉
백금
갈륨비소
Ohmic contact
Pt
n-GaAs
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