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소장자료

상세 정보
서명 / 저자 분광타원계측에 의한 나노미터 두께 게이트 산화막의 광특성 측정 연구 = Measurement of optical properties of nanometer-thick gate oxide films by spectroscopic ellipsometry / 조현모.
저자명 조현모 ; Cho, Hyun-Mo
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2001].
online access
Online Access /thesis_pdf_01/2001/2001D00092...  원문
서가 정보
등록번호 소장위치/청구기호 도서상태 반납예정일
8012462 학술문화관(문화관) 보존서고
DPH 01017  

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초록

상세 정보
형태사항 ix, 102 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Hyun-Mo Cho
지도교수의 한글표기 : 김병윤
지도교수의 영문표기 : Byoung-Yoon Kim
수록잡지명 : "Comparison of the effective oxide thickness determined by ellipsometry with the result by medium energy ion scattering spectroscopy and high-resolution transmission electron microscopy". Journal of vacuum science and technology B, Vol. 19, No. 4, (2001)
학위논문 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 95-102
주제 타원계측
게이트 산화막
이산화규소 박막
광학상수
Sellmeier 함수
ellipsometry
gate oxide
silicon dioxide film
optical constants
Sellmeier function
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