The adsorption and thermal desorption of acetylene on Ge(100) have been studied in ultrahigh vacuum by Auger electron spectroscopy (AES), temperature-programmed desorption (TPD), and low energy electron diffraction (LEED). Acetylene is found to chemisorb and to desorb molecularly on Ge(100) via a mobile precursor in a different way with Si(100) on which chemisorbed acetylene was found to undergo two thermal reactions; a minor pathway (molecular desorption) and a major pathway (dissociation of acetylene). The difference between activation energy for desorption from the precursor and that for reaction from the precursor into the chemisorbed state is found to be ($E_p$ - $E_c$) = 3.6 ± 0.23 kcal/mol. TPD measurements show that two molecular desorption features at all coverages, indicating that at least two adsorption states can be formed. For desorption kinetics, $C_2H_2$ desorption is first order reaction and the activation energies for desorption at saturation coverage are 30.6 kcal/mol for $α_1$ state and 32.9 kcal/mol for $α_2$ state whereas the energy for desorption of acetylene from Si(100) was found to be 46.1 ± 2.0 kcal/mol. The lower desorption activation energy allows $C_2H_2$ to desorb prior to significant dissociation which is a major pathway in desorption from Si(100). The angular distrbution of $C_2H_2$ desorption is peaked at surface normal. The results are discussed on the basis of bonding geometry. From the retention of 2$\times$1 LEED patterns as increasing the $C_2H_2$ coverage, it is also concluded that $C_2H_2$ on Ge(100) chemisorbs molecularly.
아세틸렌은 상온에서 Ge(100) 표면위에 흡착할때 선구 물질 상태를 거쳐서 분자 흡착을 하고 또한 570 K 이상에서 분자탈착을 한다. 이 현상은 Si(100) 표면위에서의 아세틸렌의 탈착과는 다른 현상을 보인다. 선구물질 상태에서 탈착과 화학흡착 상태의 활성화 에너지 차이는 3.6 ± 0.23 kcal/mol 이다. 활성화 에너지가 양의 값을 가진 것을 통해 비활성 흡착의 메커니즘으로 아세틸렌이 Ge(100) 표면 위에 흡착한다는 결론을 내릴 수 있다. Ge(100) 표면 위에서 아세틸렌은 두가지 다른 탈착상태를 가지고 분자 탈착을 한다. 이것은 아세틸렌이 Ge(100) 표면위에 흡착시 적어도 두 가지 다른 상태로 흡착되어 있다는 것을 의미한다. Ge(100) 표면위에서의 아세틸렌 탈착 속도론은 일차 속도식을 따르고 두 상태 ($α_1$, $α_2$) 에 대한 탈착 에너지는 각각 30.6 kcal/mol과 32.9 kcal/mol 이다. Si(100) 표면 위의 아세틸렌의 경우 46.1 kcal/mol 의 높은 탈착 에너지 때문에 750 K 이상에서 분자 흡착한 아세틸렌이 분해 된다. 그러나 Ge(100) 표면 위의 아세틸렌은 낮은 탈착 에너지로 분자 탈착을 한다. Ge(100) 표면으로부터 아세틸렌 탈착양의 탈착 각도에 따른 분포는 표면에서 수직 방향으로 탈착되는 양이 가장 크게 나타난다. Ge(100) 표면 위에서 아세틸렌의 흡착량을 증가 시키면서 표면의 구조변화를 살펴 본 결과 2×1 구조가 유지되는 것이 LEED로 관찰되었다. 이것은 아세틸렌이 Ge(100)-2×1 구조를 변화시키지 않고 흡착한다는 것이다.
