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Gunn 다이오드를 이용한 77GHz 발진기 제작= Fabrication of 77GHz oscillator using gunn diode
서명 / 저자 Gunn 다이오드를 이용한 77GHz 발진기 제작= Fabrication of 77GHz oscillator using gunn diode / 김정근.
저자명 김정근 ; Kim, Jeong-Geun
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2001].
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8011884

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MEE 01025

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초록정보

Gunn oscillator oscillating at E-band is presented. GaAs and InP Gunn diode epi structure is designed and simulated using a semiconductor device simulator, Silvaco. GaAs and InP Gunn diode is fabricated. Test fixture for Gunn oscillator is simulated using a high frequency structure simulator and fabricated. The test fixture is tested using a commercial Gunn diode and measured DC and RF characteristics. Also pulsed RF measurement setup is equipped. GaAs Gunn diode and InP Gunn diode I-V characteristics is measured using a pulsed I-V measurement. From the results of the pulsed I-V measurement it is found out the fabricated GaAs and InP Gunn diode have severe heat problem. Heat sink has to be designed well for CW operation. This Gunn oscillator is applicable for anti-collision system.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 01025
형태사항 iii, 67 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jeong-Geun Kim
지도교수의 한글표기 : 홍성철
지도교수의 영문표기 : Seong-Cheol Hong
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 수록
주제 Gunn
77GHz
발진기
다이오드
Gunn
77GHz
oscillator
diode
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