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대기압 상태의 MOCVD방법을 이용한 갈륨비소의 선택적 박막성장에 관한 연구 = A study on the selective epitaxial growth of GaAs by AP-MOCVD
서명 / 저자 대기압 상태의 MOCVD방법을 이용한 갈륨비소의 선택적 박막성장에 관한 연구 = A study on the selective epitaxial growth of GaAs by AP-MOCVD / 고광진.
저자명 고광진 ; Koh, Kwang-Jin
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2001].
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8012437

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MEE 01114

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초록정보

Selective epitaxial growth of GaAs by organometallic chemical vapor deposition is demonstrated. From the reactor analysis based on boundary layer model, some defaults of the reactor system are discussed and improved reactor design is proposed. Some basic growth parameter (Growth rate, surface morphology, crystalline characteristic, and doping density) are found from basic experiments. Rotation effects in selective epitaxial growth of GaAs are demonstrated. Selective characteristic of GaAs epitaxy is very sensitive to substrate rotation. Selective characteristic is maintained at low rpm range but in the high rpm range, poly-crystal is deposited on masked area. The poly-crystal deposited on the masked area is shown selective etching characeristic, and using this phenomenon, micro-hallow structure could be fabricated.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 01114
형태사항 [ii], 44 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Kwang-Jin Koh
지도교수의 한글표기 : 권영세
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원: 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 : p. 43-44
주제 박막성장
MOCVD
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