In this thesis I want to develope Copper chemical vapor deposition device with the aid of Remote plasma source. Remote plasma means that plasma region and CVD processing region is different region. In plasma region we can make radicals which assists CVD more effectively.
To achieve this purpose I designed new Shower head. this new Shower head has new concepts. It is designed that two gases are passing through this shower head one is the radicals which is made in plasma, and the other is CVD source gas. Radicals are passing through directly drilled hole and source gas are applied to shower head through the holes which is drilled side of the shower head.
To make Copper CVD more effectively we must study high pressure plasma discharge and radical control. I studied two subject.
First, plasma discharge in small region(height=3.5cm) and high pressure(100 mtorr~).
Second, observation of the radicals passing through shower head in processing region.
기존의 화학 증착법에 의한 방법들의 여러가지 문제점들이 있다. 효율성이 떨어지는 것과 웨이프가 열이나 플라즈마에 의해 손상을 입는 등이 그 문제점들이다. 이런 문제점을 효과적으로 막기 위해 원거리 플라즈마를 이용하여 증착을 할 수 있는 방법을 실험하였다. 플라즈마 영역과 증착이 일어나는 영역을 나누어서 플라즈마 영역에서 플라즈마를 발생시켜서 반응성이 좋은 라디칼들을 만들어 증착이 일어나는 영역으로 보내는 것이다. 실험에서는 산소 플라즈마를 이용하여 플라즈마 영역에서 높은 압력과 작은 공간에서 플라즈마가 발생하는 것을 보았고, 증착영역에 라디칼들이 효과적으로 내려오는지를 관찰하였다.
