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<110> 실리콘 기판상에 형성된 붕소확산층 캔틸레버를 이용한 SPM용 탐침의 제작 = SPM probe tips using heavily boron-doped silicon cantilevers realized in <110> bulk silicon wafer
서명 / 저자 <110> 실리콘 기판상에 형성된 붕소확산층 캔틸레버를 이용한 SPM용 탐침의 제작 = SPM probe tips using heavily boron-doped silicon cantilevers realized in <110> bulk silicon wafer / 조일주.
저자명 조일주 ; Cho, Il-Joo
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2000].
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8010522

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MEE 00092

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초록정보

In this paper, we report a new method of fabricating SPM (Scanning Probe Microscope) probe tips using heavily boron-doped silicon cantilevers self-aligned in <110> bulk silicon wafer. In this structure, a stress-free cantilever can be easily defined by selective etch stop of the heavily-doped boron region in an anistropic silicon etchant. The proposed tips do not require expensive SOI wafers and double-side alignment. Tip dimensions can be exactly defined regardless of wafer thickness from the self-aligned etch from the front side. Extensive FEM simulations have been performed for various shapes using ANSYS to estimate and optimize the resonant frequency and force constant of the structure. The tips successfully demonstrate scanning the image of a 1μm grating reference sample in contact and non-contact modes, respectively.

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청구기호 {MEE 00092
형태사항 iii, 60 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Il-Joo Cho
지도교수의 한글표기 : 윤의식
지도교수의 영문표기 : Eui-Sik Yoon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 : p. 59-60
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