In this thesis, appropriate SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Small signal modeling method is proposed. The model is based on general physical principles, and extracted parameter value is compared with the analytically calculated value. IMT2000 transmitter Mixer and Drive amplifier using SiGe Heterojunction Bipolar Transistor is designed. Overview the characteristic of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, IMT2000 system, Mixer and Drive amplifier are discussed.
실리콘게르마늄 이종접합트랜지스터에 적합한 소신호모델링 방법을 제시하였다. 이 모델은 물리적현상에 기반을 두고 추출되었고 추출된 파라미터를 정량적으로 계산된 결과와 비교하였다. IMT2000용 주파수 합성기와 증폭기를 실리콘게르마늄 이종접합 트랜지스터를 이용해 설계하였고 그 특성에 대해 논의하였다.
