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GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs variable gain amplifiers
서명 / 저자 GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs variable gain amplifiers / 신성호.
저자명 신성호 ; Shin, Seong-Ho
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2000].
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8010476

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MEE 00047

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초록정보

In this thesis, two variable gain amplifiers(VGA's)-Variable attenuator feedback VGA and Active feedback VGA- are designed, fabricated, and measured. The VGA's are fabricated using the monolithic microwave integrated circuit(MMIC) approach based on GaAs MESFET technology developed at KAIST. The key process of MMIC fabrication is gate recess, NiCr thin film deposition for resistor, SiNx dielectric deposition for MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor, Au-plating. Variable attenuator feedback VGA has about 10dB gain variation from 5.1dB to 15.2dB. And Active feeback VGA has about 11dB gain variation from 1.5dB to 13dB.

본논문에서는 두가지 형태의 가변이득 증폭기(가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기, Active 피이드백 가변이득 증폭기)가 설계 되었고, 제작 되었다. KAIST에서 확립된 갈륨-비소 MESFET을 이용한 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적회로로 제작 되었다. 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적 회로 제작의 주요 공정은 게이트 리세스, NiCr박막저항, 메탈-절연체-메탈 구조의 커패시터를 제작하기 위해 SiNx 절연체 증착, 금도금공정 이다. 제작된 가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 5.1dB에서 15.2dB 까지 가변되어, 약 10dB 이득가변 범위를 가졌다. 그리고 Active 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 1.5dB에서 13dB까지 가변되어, 11dB의 이득가변 범위를 가진다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 00047
형태사항 48 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Seong-Ho Shin
지도교수의 한글표기 : 권영세
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 수록
주제 가변이득증폭기
가변감쇄기
갈륨-비소프로세스
Variable gain amplilifer
Attenuator
GaAs fabrication
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