The adsorption of Mg on the Si(111) 7×7 surface has been studied using low energy electron diffraction (LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). The evolution of the adsorption behavior of Mg with increasing coverage has been investigated by evaporating the Mg atoms on the Si(111) 7×7 surface at both room temperature and elevated temperature. At the very early stages of Mg adsorption, the 7×7 units of the Si(111) surface remain intact. At room temperature Mg adsorption, three different adsorption features are shown, but the number of adsorption features is changed by annealing. As the Mg coverage at room temperature increases, the Si(111) 7×7 LEED pattern becomes weaker and a new $\frac{2}{3} \sqrt{3}×\frac{2}{3} \sqrt3R30℃$ LEED pattern evolves. In STM images, it has been found that the triangular network of the 7×7 units remain undisrupted until the whole surface is covered by the Mg atoms. Upon slight annealing, the 7×7 units are disrupted and patches of 3×2 atomic row structures are formed on the surface, which is shown to be the 3×1 pattern in LEED. The Mg evaporation on the Si(111) 7×7 surface at elevated temperature also results in the 7×7 LEED pattern and the row structure STM image
저 에너지 전자 회절법과 주사 터널링 현미경을 이용하여 7×7 구조를 갖는 실리콘 (111) 표면 위에 마그네슘 흡착에 관한 연구를 수행하였다. 상온과 고온상태에서 각각 실리콘 (111) 표면 위에 마그네슘 원자를 증착시킴으로써, 마그네슘 흡착량의 증가에 따른 흡착 경향의 변화를 관찰하였다. 매우 적은 양의 마그네슘이 흡착 되었을 때, 실리콘 (111) 표면의 7×7 구조는 유지되었다. 상온에서 세 가지의 흡착형태가 관찰되었고, 그 것들의 숫자는 표면을 가열해 줌으로써 변하였다. 상온에서 마그네슘의 흡착량이 중가하면 실리콘(111) 표면의 7×7 저 에너지 전자 회절 패턴은 점점 약해지고, 새로운 $\frac{2}{3} \sqrt{3}×\frac{2}{3} \sqrt3R30℃$ 저 에너지 전자 회절 패턴이 관찰되었다. 주사 터널링 현미경 이미지에서는, 마그네슘이 표면 전체에 흡착될 때까지 삼각형 모양의 7×7 구조가 흐트러지지 않고 유지됨을 관찰하였다. 약간 가열하였을 때, 7×7 구조는 흐트러 지고 표면 위에 3×2 구조를 갖는 원자의 줄 구조가 관찰되었는데, 이것은 3×1저 에너지 전자 회절 패턴을 나타낸다. 고온에서 실리콘(111) 표면 위에 마그네슘을 증착하였을 때도 3×1 저 에너지 전자 회절 패턴과, 줄 구조의 주사 터널링 현미경 이미지를 나타낸다.
