Physical, optical and waveguiding properties about Er doped Silicon Rich Silicon Oxide deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition were investigated. Samples exhibit luminescences at IR region near 1.54㎛ and visible region with broad peaks at about 420nm and 800nm. Carrier mediated excitation is dominant for the 1.54㎛ luminescence of the samples. Sample has long lifetime more than 7msec and high refractive index more than 2.1. They can guide IR lightwave of 1.3 and 1.54㎛ through deposited layer, which are wavelengthes used for optical fiber communication.
ECR PECVD방법으로 각각 7.4msec와 2msec의 lifetime을 갖는 Er이 도핑된 SRSPO 박막을 제작하였다. 이 샘플들은 실리콘 나노크리스탈내의 mediated carrier에 의해 여기된 $Er^{3+}$로부터 1.54㎛의에서 강한 빛을 보였고, 각각의 시료는 36%와 44%의 실리콘 비율을 갖으며, 2.104와 2.469의 굴절률이 이 샘플들에서 측정되었다. SRSO에서 굴절률은 실리콘 양에 따라 거의 선형으로 증가한다는 것을 보였고, 제작된 샘플들의 표면상태는 도파로써 충분하다는 것을 보였고, 1.3㎛와 1.54㎛의 빛을 잘 통과시키는 것을 보였다. 모든 결과를 종합해볼때 Er이 도핑된 SRSO가 도파 증폭기 및 다른 능동적 광소자로 쓰이는데 매우 적합하다는 것을 알았다.
