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Properties of Er-doped silicon rich silicon oxide for active optical devices = 능동적 광소자 제작을 위한 Er이 도핑된 SRSO박막의 특성연구
서명 / 저자 Properties of Er-doped silicon rich silicon oxide for active optical devices = 능동적 광소자 제작을 위한 Er이 도핑된 SRSO박막의 특성연구 / Hak-Seung Han.
저자명 Han, Hak-Seung ; 한학승
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1999].
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8009947

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MPH 99025

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초록정보

Physical, optical and waveguiding properties about Er doped Silicon Rich Silicon Oxide deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition were investigated. Samples exhibit luminescences at IR region near 1.54㎛ and visible region with broad peaks at about 420nm and 800nm. Carrier mediated excitation is dominant for the 1.54㎛ luminescence of the samples. Sample has long lifetime more than 7msec and high refractive index more than 2.1. They can guide IR lightwave of 1.3 and 1.54㎛ through deposited layer, which are wavelengthes used for optical fiber communication.

ECR PECVD방법으로 각각 7.4msec와 2msec의 lifetime을 갖는 Er이 도핑된 SRSPO 박막을 제작하였다. 이 샘플들은 실리콘 나노크리스탈내의 mediated carrier에 의해 여기된 $Er^{3+}$로부터 1.54㎛의에서 강한 빛을 보였고, 각각의 시료는 36%와 44%의 실리콘 비율을 갖으며, 2.104와 2.469의 굴절률이 이 샘플들에서 측정되었다. SRSO에서 굴절률은 실리콘 양에 따라 거의 선형으로 증가한다는 것을 보였고, 제작된 샘플들의 표면상태는 도파로써 충분하다는 것을 보였고, 1.3㎛와 1.54㎛의 빛을 잘 통과시키는 것을 보였다. 모든 결과를 종합해볼때 Er이 도핑된 SRSO가 도파 증폭기 및 다른 능동적 광소자로 쓰이는데 매우 적합하다는 것을 알았다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 99025
형태사항 v, 30 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 한학승
지도교수의 영문표기 : Jung-Hoon Shin
지도교수의 한글표기 : 신중훈
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 Reference : p. 27-28
주제 SRSO
Silicon
Er
Active optical device
어븀
실리콘
능동적 광소자
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