An oxidation chamber was constructed as the vapor-pressure adjustable system. and the study on the wet thermal oxidation of AlAs and $Al_xGa_{1-x}As$ was carried out by using the oxidation chamber.
The lateral oxidation rate of the closed system is faster than that of the open system. the closed system can oxidize AlAs with 100Å thickness, which haven't been oxidized by the open system. In the case of AlAs with 300Å thickness, the oxidation rate is six times faster than the case of $Al_{0.9}Ga_{0.1}As$ with 444Å thickness at 425℃. We could observe that the lateral oxidation rate obtained in these experiments agree well to the result of Koley and M. Dagenais' calculation.
수증기압을 조절할 수 있는 습식산화장치를 제작하고 그것을 사용하여 AlAs와 $Al_xGa_{1-x}As$를 습식산화시켰다. 폐관 습식산화장치는 기존의 개관 습식산화장치보다 측면 산화율이 빨라졌다. 그리고 개관 습식산화장치에선 산화를 할 수 없었던 100Å 두께의 AlAs를 폐관 습식산화장치로는 산화를 할 수 있다. 300Å두께의 AlAs의 측면 산화율이 두께가 444Å인 $Al_{0.9}Ga_{0.1}As$의 산화율 보다 425℃ 6배 빨랐다. 또한 실험으로 구한 측면 산화율은 Koley와 M. Dagenais가 계산한 결과와 일치함을 확인하였다.
