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방사선이 MOSFET의 문턱 전압에 미치는 영향 = Radiation effect on the threshold voltage of MOSFET
서명 / 저자 방사선이 MOSFET의 문턱 전압에 미치는 영향 = Radiation effect on the threshold voltage of MOSFET / 강진아.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1999].
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8009924

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MPH 99002

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초록정보

This paper gives the approach to the prediction of MOSFET response in space environments from the calibration of RADFET using $Co^60$ γ-ray source. When a MOS device is irradiated, charges buildup in the oxide and new interface ststes are also created. The threshold voltage shift due to these traps was measured by Ⅰ-Ⅴ curves and the effect of these traps on the threshold voltage was separated with the assumption that mobility degradation in channel is predominantly due to interface traps. Radiation-induced trapped hole and interface traps are very sensitive to the change of temperature. The effect of the temperature during irradiation is investigated over the temperature range, 20℃ to 80℃.

서지기타정보

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청구기호 {MPH 99002
형태사항 v, 53 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jin-A Kang
지도교수의 한글표기 : 민경욱
지도교수의 영문표기 : Kyoung-Wook Min
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 52-53
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