서지주요정보
저온 공정을 사용한 ECR $N_2O$-플라즈마 산화막을 가지는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 EEPROM 소자 = A polysilicon thin film transistor EEPROM cell with ECR $N_2O-plasma$ oxide using low temperature process
서명 / 저자 저온 공정을 사용한 ECR $N_2O$-플라즈마 산화막을 가지는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 EEPROM 소자 = A polysilicon thin film transistor EEPROM cell with ECR $N_2O-plasma$ oxide using low temperature process / 오정훈.
저자명 오정훈 ; Oh, Jung-Hoon
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1999].
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8009762

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MEE 99078

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초록정보

A planar polysilicon thin film transistor (TFT) EEPROM cell fabricated with a low temperature (<400 ℃) process is demonstrated in this work. The gate electrodes of the TFT are connected to form the floating gate of the cell, while the source and drain of the larger TFT are connected to form the control gate. The cell is programmed and erased by Fowler-Nordheim tunneling. The threshold voltage of the cell can be shift by as much as 4 V after programming. This EEPROM cell has a excellent characteristics of endurance due to ECR $N_2O-plasma$ oxide for tunneling oxide and compatible process with poly-Si TFT process. This low temperature process technology is ideal for active matrix liquid crystal displays (AMLCD's) with large glass substrate, NVSRAM, 3-D VLSI, and large area electronics applications.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 99078
형태사항 ii, 31 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jung-Hoon Oh
지도교수의 한글표기 : 한철희
지도교수의 영문표기 : Chul-Hi Han
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 30-31
주제 다결정실리콘
박막트랜지스터
EEPROM
저온공정
플라즈마산화막
Polysilicon
TFT
EEPROM
Low temperature process
Plasma oxide
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