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Lateral silicon field emission devices using electron beam lithography = 전자선 묘화를 이용한 측면형 실리콘 전계 방출 소자에 관한 연구
서명 / 저자 Lateral silicon field emission devices using electron beam lithography = 전자선 묘화를 이용한 측면형 실리콘 전계 방출 소자에 관한 연구 / Sun-A Yang.
저자명 Yang, Sun-A ; 양선아
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1999].
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8009759

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MEE 99075

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초록정보

Field emission vacuum microelectronic devices, which operate at a low voltage, require sharp cathode tips and minimal cathode to anode spacing. Using high resolution electron beam lithography in combination with reactive ion etching technique, lateral multi-tip diodes have been fabricated with cathode to anode spacings less than 40nm. The devices were measured in ultra high vacuum chamber which was pumped down to $3×10^{-9}$ Torr. The electrical characteristics show low voltage operation and the linearity of the Fowler-Nordheim plots provides another confirmation of field emission. Triodes have been fabricated by adding a gate electrode between cathode and anode electrodes. After the emission currents of the fabricated devices versus time under $V_A=30V$ for 2hours, the maximum current fluctuation was 0.2%.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 99075
형태사항 iii, 50 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 Appendix : Process flow
저자명의 한글표기 : 양선아
지도교수의 영문표기 : Hyung-Cheol Shin
지도교수의 한글표기 : 신형철
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 Reference : p. 45-46
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