The T-Gate made by using sidewall fabrication process has its gate length less than 0.3㎛. A few years ago, It had been made of multi-layered photoresist and $SiO_2$ dielectric but the process was complex and difficult. Newly proposed method is using only silicon nitride as dielectric, so the process step is decreased. This method uses 1um photolithography process. So, Its process has high productivity and low cost.
From the developed T-Gate process, T-Gate MESFET is fabricated. It has $g_m$ of 140mS/mm, $f_T$ and $f_{max}$ of 20GHz. compared to $1\mu m$ MESFET, there is some improvements in $g_m$ and $f_T$.
Feedback amplifier is also made using T-Gate. There were 4 kinds of amplifier in the mask, and all amplifiers were successfully fabricated and tested. From the result, it is proved that the newly proposed T-Gate fabrication method is applicable to all kinds of MMIC process.
측벽형성공정으로 만들어진 T-Gate는 길이가 0.3㎛이하이다. 몇 년전 다층 포토레지스트와 실리콘 산화막으로 만들어 졌었지만 공정이 복잡하고 어려웠다. 이번에 새로 제안된 방법은 단지 실리콘 질화막만을 사용하기 때문에 공정이 간단화 되었다. 이 방법은 1㎛의 포토리소그래피 공정을 사용하기 때문에 양산성이 좋고 저가이다. 개발된 T-Gate공정으로 부터 T-Gate 전계효과 트랜지스터가 만들어 졌다. $g_m$은 140mS/mm이고 $f_T$ 및 $f_{max}$는 20GHz이다. 1㎛에 비교해서 약간의 향상이 있다. 되먹임 증폭기도 T-Gate를 사용해서 제작되었는데, mask에는 4종류의 증폭기가 있었고, 모든 증폭기가 성공적으로 제작되고 측정되었다. 그 결과로 부터 새로 제안된 T-Gate공정이 모든 MMIC공정에 응용될 수 있음이 입증되었다.
