1.54㎛ luminescence which has important role in telecommunication, from Er-doped silicon rich silicon oxide films deposited with electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition were investigated. With negative DC bias, Er target was located in deposition chamber, so, sputtering was allowed during deposition. Samples were prepared on varying silane to oxygen gas ratio and annealing was followed. Especially, Er doped SRSO film(with Q=0.85 after 900℃ annealed) shows the most intense PL. We could know the reasons of this intense luminescence from SRSO:Er are high oxygen content, and efficient excitation by mediated carriers.
광통신에서 중요한 역할을 차지하고 있는 1.54㎛의 발광을 지닌, ECR-PECVD방법으로 증착한 어븀이 도핑된 SRSO 박막에서의 광학적 특성에 대해서 연구하였다. 일반적인 ECR-PECVD와는 달리, 쳄버 안에 어븀타겟을 설치하여, 증착과 동시에 어븀이 도핑되도록 하였다. 사일렌과 산소가스의 비를 조절하여 여러 개의 시료를 만들고, 다시 이것에 어닐링을 거친 결과 SRSO:Er에서 강한 발광성을 갖는 다는 것을 밝혀냈다. 이러한 강한 발광은, 높은 양의 산소 함유량과 carrier에 의한 효율적인 excitation, 그리고, defect의 소멸로 인한 non-radiative decay 경로의 차단 때문에 가능함을 알게 되었다.
