A electric switching behaviors of ferroelectric liquid crystal device and its alignment layer with PMDA-3,3'-ODA film prepared by Langmuir-Blodgett technique was investigated. LB films were built up on ITO glass at various surface pressure. The defects in LB film tested by cyclic voltammogram were significantly reduced. 5 layers of PMDA-3,3'-ODA PAAS and 7 layers of polyimide indicated the sufficient coverage of films over the surface of ITO glass. The orientation of PAAS and polyimide on ITO glass determined by polarized FT-IR spectroscopy were found to be oriented parallel to the dipping direction. Textures of FLC on Alignment layers prepared at different deposition pressure, 5, 15, 25 and 35 mN/m were observed with polarizing microscope. The apparent spontaneous polarizations of FLC determined by the triangular method depends on cell thickness, cooling rate from smectic A to chiral smectic C, transfer condition. Closely packed LB film at 35 mN/m showed the better alignment of FLC on it and the larger spontaneous polarization than those at low surface pressure did. Concerning the effect of cooling process, and cell thickness, slowly cooled and thin cell had the larger spontaneous polarization. Characteristic behavior such as response time, decay time and light transmission in optic device were also used to evaluate the alignment layer. Alignment layer prepared at 35mN/m showed faster response and decay, which is consistent to the larger spontaneous polarization of FLC on it. The effect of ion in FLC on switching behavior was observed to reduce the magnitude of effective electric field but disapper as frequency of field increase. Comparing rubbed polyimide alignment layer, LB alignment film showed sufficient optic behavior in comparison with the alignment layer by rubbing method.
PMDA-3,3'-ODA 액정 배향막을 LB 법으로 제조하였고 이 LB막 위에서 강유전성 액정의 전기적 거동을 조사하였다. LB 막은 여러 표면 압력 조건에서 제조되었으며, LB막의 결함은 cyclic voltammogram에 의해 누적층이 증가 할수록 결함이 현저하게 감소함을 알수 있었다. PMDA-3,3'-ODA PAAS의 경우, 5층 그리고 폴리이미드의 경우, 7층이 누적되면 충분히 ITO 글래스를 덮음으로써 ITO와 액정을 격리시키고 배향막으로 사용될수 있었다. ITO 글래스에 누적된 분자들의 배열 방향은 편광된 FT-IR를 배향막에 조사하여 특정기의 흡수 밴드, C-O-C $1240cm^{-1}$, 벤젠링 사이의 접선 방향의 스트레칭 $1500cm^{-1}$, C=O $1720cm^{-1}$를 분석함으로써 결정되었다. PAAS와 폴리이미드 모두 ITO 글래스의 디핑방향으로 배열되어져 있음을 알았다. 5, 15, 25, 35 mN/m의 누적 조건에서 제조되어진 LB막에서 강유전성 액정의 배향은 편광현미경으로 텍스처를 관찰하고 삼각파형법으로 강유전성 액정의 자발분극을 측정하여 비교 분석하였다. 높은 표면 압력에서 조밀하게 누적된 LB막에서 액정의 배향이 낮은 압력에 비해 훨씬 균일한 배향을 얻을 수 있었고, 이들의 자발분극은 낮은 압력에o}U} 만들어진 배향막에서 보다 큰 값을 나타냈다. 자발분극은 $S_A$상에서 $S_C^\ast$상으로의 냉각속도와 셀의 두께의 영향을 받았는데 냉각속도가 느릴수록 그리고 셀의 두께가 얇을 수록 액정의 자발분극이 더 큰 값을 나타냈다. 광학소자로써 기능은 응답속도, 전기장을 제거했을 때 원상태로의 감쇠시간, 광투과율을 측정하여 배향막을 평가하였다. 35 mN/m에서 누적된 배향막에서 액정이 가장 빠른 응답속도와 감쇠속도를 보였고 이것은 이들 막에서 측정된 액정의 자발분극 값과 일치하였다. 강유전성 액정에 존재하는 이온에 의한 액정의 동작거동에 대한 영향은 역방향의 전기장을 형성하여 실제 전기장의 크기를 작게 만들었으며 외부전기장의 주파수를 증가시킬때 그 영향이 줄어들었다. 이것은 이온들이 배향막으로의 이동을 허용하지 않으므로써 역전기장을 형성을 억제하였기 때문이다. 러빙방법에 의해 만들어진 배향막과 비교에서 LB 법으로 만들어진 배향막은 충분히 동등한 광학거동을 나타었다.
