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E-beam lthography 를 이용한 나노 부유 게이트 소자 제작 = Fabrication of nano-floating gate memory device using E-beam lithography
서명 / 저자 E-beam lthography 를 이용한 나노 부유 게이트 소자 제작 = Fabrication of nano-floating gate memory device using E-beam lithography / 박진성.
저자명 박진성 ; Park, Jin-Sung
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1997].
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8008041

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MEE 97112

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초록정보

Using E-Beam lithography, a 0.1㎛ active cross structure has been fabricated for single electron memory device. The orthogonal etching profile was obtained using RIE. The floating gate was made by etch back process and it could be made very small. The number of floating gate is depend on the active structure. If the active structure is cross, then 4 floating gates are formed in the region where active lines cross. In this paper, it is estimated that 100~500 electrons in floating gate result in shift threshold voltage by 1V.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 97112
형태사항 [iii], 54, xix p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : A, STM을 이용한 묘화 방법 연구. - B, AFM을 이용한 lithography
저자명의 영문표기 : Jin-Sung Park
지도교수의 한글표기 : 권영세
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 수록
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