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자기정합된 나노 구조의 SOI 비휘발성 기억소자에 관한연구 = A study on SOI nonvolatile memory device with self-aligned nano structure
서명 / 저자 자기정합된 나노 구조의 SOI 비휘발성 기억소자에 관한연구 = A study on SOI nonvolatile memory device with self-aligned nano structure / 한상연.
저자명 한상연 ; Han, Sang-Yeon
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1997].
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8007800

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학술문화관(문화관) 보존서고

MEE 97089

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초록정보

An nonvolatile memory device with self-aligned nano structure on SOI have been proposed and fabricated using E-Beam lithography and Reactive Ion Etching. The total number of masks are 6 layers, among which 2 are patterned by direct-write E-Beam lithography. Floating gate size of 0.25㎛×0.25㎛ has been achieved by the lithography limitations, successful EEPROM operation has been obtained with the threshold voltage shift $ΔV_T$ of ~0.9V.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 97089
형태사항 iii, 68 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Sang-Yeon Han
지도교수의 한글표기 : 이귀로
지도교수의 영문표기 : Kwy-Ro Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 67-68
주제 비휘발성 기억소자
단전자 기억소자
나노구조
자기정합
SOI
Nonvolatile memory
Nano strcture
SET
Self-aligned
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