This study explores the oscillation behavior manifested in a transistor structure with a current-input voltage-output configuration, constructed on a bulk silicon wafer. While its operational principle parallels that of a silicon-on-insulator (SOI) substrate, this study distinguishes itself by implementing oscillation operations through a single transistor latch (STL) on a bulk silicon substrate instead of an SOI substrate. More precisely, the research posits the existence of an electrical floating body (e-floating body) within a MOSFET fabricated on a bulk substrate. This e-floating body is functionally akin to the physical floating body that existed in MOSFETs on a SOI wafer. The study further examines how this configuration influences the latch and oscillation characteristics, revealing distinct tendencies in these behaviors.
이 논문에서는 벌크 실리콘 기반 위에 만들어진 트랜지스터 구조에서 전류입력 전압출력 방식으로 나타나는 진동 동작을 다루었다. SOI 기판에서와 유사한 동작 원리를 가지되 SOI 기판이 아닌 벌크 기판에서 단일 트랜지스터 래치가 나타나도록 함으로써 해당 진동 동작을 구현하였다. 좀 더 자세하게는, 벌크 기판에서 제작된 트랜지스터에 전기적 부유바디가 존재하여 SOI 기판에서의 물리적 부유바디와 같은 역할을 함을 제시하고 그 동작이 래치와 진동 특성에 어떤 경향성을 부여하는지 보였다.
