PART A
GaAr 분자의 에너지 준위를 계산하였다. 각 에너지 준위의 성질을 파악 하기 위하여 완전활동공간 자체일관성장(CASSCF), 다중배치 자체일관성장(MCSCF), 완전활동공간 2차섭동론(CASPT2) 및 다중 혼합배치법(MRCI) 방법을 이용하였다.
바닥 상태의 결합에너지는 4.13Å 평균거리에서 $163.03cm^{-1}$ (MRCI) 였고 $C^2π$ 들뜬 상태의 결합에너지는 3.70Å 평균거리에서 $261.55cm^{-1}$ (CASPT2)가 얻어졌다. $A^2Σ^{+}$ 상태는 반발곡선이 얻어졌으며 또 다른 들뜬 상태인 $B^2Σ^{+}$ 상태의 결합에너지는 얻어지지 않았다.
들뜬 상태($C^2π$)는 바닥 상태보다 더 짧은 평균 거리에서 더 큰 결합에너지를 보여주었다.
PART B
아미도알란 화합물과 아미도갈란 화합물의 구조를 반경험적 방법을 이용하여 결정하였다. 얻어진 구조 값들은 실험치와 비교적 잘 일치하였다.
아미도 알란 화합물에서는 질소에 붙은 치환체의 크기가 커질수록 알루미늄-질소( Al-N) 결합 이나 알루미늄-탄소(Al-C) 결합 보다 질소-탄소(N-C)의 결합 길이가 크게 증가하였다. 아미도갈란 화합물에서는 갈륨-탄소(Ga-C) 결합 길이가 크게 증가하였다. 결합 길이의 증가는 결합 세기가 약해지는 결과를 가져와 치환체인 유기 분자들이 질소나 갈륨으로부터 잘 떨어져 나가게 되므로 탄소 오염이 적은 알루미늄나이트라이드 (AlN)나 갈륨나이트라이드 (GaN) 박막을 보다 효과적으로 형성할 수 있을 것으로 생각된다.
Ab initio 계산에서는 터셔리부틸(tBu) 치환체가 붙은 화합물의 경우 가장 강한 알루미늄-질소(Al-N)나, 갈륨-질소(Ga-N) 결합이 얻어졌다. 터셔리부틸(tBu) 치환체가 붙은 아미도알란 및 아미도갈란 화합물은 보다 효과적인 전구체로 사용될 수 있을 것으로 여겨진다.
