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활성영역이 유리 기판 내에 매몰된 새로운 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 = Novel TFT with active layer buried in glass substrate
서명 / 저자 활성영역이 유리 기판 내에 매몰된 새로운 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 = Novel TFT with active layer buried in glass substrate / 한기호.
저자명 한기호 ; Han, Ki-Ho
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1996].
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8006299

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MEE 96084

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초록정보

In this paper, we have proposed a new structure of polysilicon thin film transistor(Poly-Si TFT) on glass substrate for liquid crystal display. The active island of the proposed TFT formed by polishing of thick (5000Å) recrystallized amorphous-Si(a-Si) is buried in glass substrate. The proposed TFTs exhibited a higher field-effect mobility about two times, a lower inverse subthreshold slope and a lower leakage current about six times in comparison with conventional TFT of which the active island is in glass substrate. Moreover the buried island reduces electric field concentration at the active island edge, consequently, improves gate voltage swing and reduces thickness of gate oxide about 1.6 times

서지기타정보

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청구기호 {MEE 96084
형태사항 iv, 56 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Ki-Ho Han
지도교수의 한글표기 : 김충기
공동교수의 한글표기 : 한철희
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
공동교수의 영문표기 : Chul-Hi Han
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 50-51
주제 매몰 박막 트랜지스터
화학-기계적 연마
다결정실리콘
Buried island thin film transistor(BITFT)
Chemical mechanical polishing(CMP)
Polycrystalline silicon
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