As demand for computation of big data is rapidly growing recently, neuromorphic computing, a bio-inspired computing paradigm to emulate human brain, is receiving research attention. The basis of neuromorphic computing is synapse devices which emulate synaptic plasticity. Resistive switching devices have been a strong potential candidate of synapse device, having analogous operation scheme to biological synapses. In this study, short-term plasticity characteristics of organic electrochemical neuromorphic device was engineered by concentration of redox additive in electrolyte and the programming pulse conditions. In addition, electrochemical characterization is conducted to analyze the effect of redox additive to the synapse characteristics of device.
최근 “빅 데이터” 처리에 대한 높은 수요를 해결하기 위해 저에너지로 구동하는 뇌의 신경계를 모방한 뉴로모픽 컴퓨팅이 관심을 끌고 있다. 뉴로모픽 컴퓨팅은 시냅스 가소성을 모방할 수 있는 시냅스 소자를 기본 단위로 하여 이루어진다. 저항 변화 소자는 시냅스와 유사한 구조로 동작하여 시냅스 소자로 주목 받았고, 소자의 성능을 높이기 위한 다양한 연구가 진행되었다. 본 연구에서는 유기 전기화학적 뉴로모픽 소자의 단기 가소성을 전해질의 산화환원 첨가제 농도와 게이트에 가하는 펄스의 개형에 따라 조절하였다. 또한 산화환원 첨가제의 농도에 따라 전기화학적 특성을 정성적으로 분석하여 소자 측면에서 산화환원 첨가제의 영향을 분석하였다.
