Semiconductor dot-in-rod (DIR) particles are in the spotlight as an important material in the nanotechnology field due to their unique characteristics such as efficient charge transport and linear polarization. Among them, research is actively being conducted to use linear polarization characteristics in the display field, and in particular, DIR particles with highly linearly polarized light can increase the transmittance of the polarizer.
In this study, the change in polarization emission characteristics according to the core position of the CdSe/CdS DIR structure was studied. The position of the core was adjusted from the center to the end of the DIR paricles, and the linear polarization was analyzed by measuring them in the ensemble film state and the single nanorod state, respectively. As a result, it was confirmed that when the core was located in the center, it had the highest linearly polarized light and decreased toward the end. It was revealed that this phenomenon is because when the core is located at the end, the overlap effect between the electron and the hole wave function decreases due to the strain caused by the electric field.
반도체 나노막대 입자는 효율적인 전하 수송, 선형 편광 발광 등 고유한 특성으로 나노기술 분야에서 중요한 소재로 각광받고 있다. 그 중에서도 선형 편광 발광 특성을 디스플레이 분야에 활용하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 특히 높은 선편광도를 가지는 나노막대 입자는 디스플레이 소자 내 편광판 투과율을 높일 수 있다는 점에서 장점을 가진다.
본 연구에서는 CdSe/CdS 나노막대입자의 코어 위치에 따른 편광 발광 특성의 변화에 대해 연구하였다. 코어의 위치는 나노막대 입자의 중앙부터 끝까지 조절하였으며, 각각 앙상블 필름 상태와 단일 나노막대 상태에서 선편광도를 측정하여 이를 비교하였다. 그 결과, 코어가 중앙에 위치하였을 때 가장 높은 선편광도를 가졌으며 코어가 끝 쪽에 위치할수록 선편광도가 낮아지는 것을 확인하였다. 이는 코어가 끝 쪽에 위치할 경우 전기장에 의한 스트레인으로 인해 전자와 정공 파동함수의 중첩 효과가 낮아지기 때문임을 밝혔다.
