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(A) 4-channel high-voltage-compliance stress-free neural stimulation IC in standard CMOS process = 표준 CMOS 공정 기반 4채널 고전압 신경 자극 집적회로
서명 / 저자 (A) 4-channel high-voltage-compliance stress-free neural stimulation IC in standard CMOS process = 표준 CMOS 공정 기반 4채널 고전압 신경 자극 집적회로 / Kim Hoang Nguyen.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2022].
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8039892

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학술문화관(도서관)2층 학위논문

MEE 22161

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Staking low-voltage devices is a promising technique to overcome the limitation of supply voltage that allows the system to possibly operate at the voltage much higher than the standard process’s rating voltage. In this thesis, by utilizing this technique, a neural stimulator is designed with a supply voltage up to 4 times of rating voltage, 4VDD. Proposed dynamic switching buffer and adaptive offset generator are presented to overcome the high-voltage (HV) issues under the operation of the stacking driver while improve the performance of the stimulator with better charge balancing and higher compliance voltage.

저전압 소자를 고정하는 것은 공급 전압의 한계를 극복하기 위한 유망한 기술이다. 시스템이 표준 프로세 스의 정격 전압보다 훨씬 높은 전압에서 작동할 수 있습니다. 전압 본 논문에서는 이 기술을 활용하여 공급 전압으로 신경 자극기를 설계한다. 정격 전압의 최대 4배. 제안된 동적 스위칭 버퍼 및 적응형 오프셋 발생기 다음 시간 동안 스태킹 드라이버의 작동 하에서 고전압 문제를 극복하기 위해 제안됩니다. 더 나은 충전 밸런싱과 더 높은 규정 준수 전압을 통해 자극기의 성능을 개선합니다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 22161
형태사항 iv, 22 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 응우옌 김황
지도교수의 영문표기 : Minkyu Je
지도교수의 한글표기 : 제민규
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부,
서지주기 Including References
주제 Neural stimulator
standard process
low-voltage stacking
high-voltage
high-voltage
신경자극기
표준 과정
저전압 적층
저전압 적층
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